美国商务部发布新的出口管制规则，限制中国获取先进计算芯片

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美国商务部工业与安全局（BIS）发布了一项临时最终规则（以下简称“规则”），修改了出口管理条例（EAR），实施了重大新的出口限制，旨在限制中国获取先进计算芯片、开发和维护超级计算机及制造先进半导体的能力。

新规则的目的是通过以下方式实现这些目标：

1. 新出口限制：实施新的出口限制，禁止向中国出口、再出口或在中国转让：
– 高性能半导体芯片（即集成电路（IC），其所有输入和输出的聚合双向传输速率超过600 Gbyte/s或可编程达到该标准，并满足某些其他标准）
– 含有高性能半导体芯片的物品；
– 某些半导体制造沉积设备；
– 与上述所有内容相关的软件和技术；

2. 新用途出口限制：实施新的用途出口限制，禁止向中国出口、再出口或在中国转让任何受EAR管制的物品，或者其子集，如果出口方知道，或者无法知道，这些物品是用于在中国开发或制造某些高性能半导体芯片或“超级计算机”（即“计算系统”，其集合性的最大理论计算能力为100个以上的双精度（64位）petaflops或200个以上的单精度（32位）petaflops，且在41,600立方英尺或更小的空间内）；

3. 美国人禁令：扩展EAR中相对未被使用的制裁风格限制，禁止美国人运输、传送、转移、促进任何不受EAR管制的物品的移动，或对任何物品提供服务，当出口方知道，或无法知道，这些物品是用于在中国开发或制造某些高性能半导体芯片或半导体制造设备；

4. 扩大外国直接产品（FDP）限制：扩大外国直接产品限制，禁止出口、再出口或在中国转让某些外国生产的先进计算和半导体相关产品，这些产品是某些美国来源技术的直接产品；

5. 限制许可例外：限制多数许可例外的可用性，禁止向中国出口高性能半导体和先进计算产品；

6. 大众市场加密限制：限制向中国出口符合高性能IC或先进计算产品性能标准的群众市场加密项目；

7. 中国出口限制：限制从中国出口某些先进计算和半导体相关项目到全球任何目的地。

虽然新的限制在2022年10月21日或之前生效，但BIS正在邀请公众在2022年11月13日前对该规则进行评论。

新规则中的多个关键条款相当模糊，一些关键术语未定义。

到目前为止，BIS尚未发布任何承诺的常见问题解答指导，并且2022年10月13日的公开号召几乎没有提供所需的明确性。

在没有这样的明确性的情况下，许多新限制显得十分广泛，可能在短期内会对半导体行业产生戏剧性的影响。

为了减轻行业的一些负担，BIS确实发布了一项临时通用许可证，允许某些禁止的出口行为在2023年4月7日之前继续进行，只要该运输由总部位于某些友好国家的公司进行，并且目的是支持生产那些将用于中国以外地区的物品。

此外，这项新规则只是美国实施的多项措施之一，旨在限制中国获得这类先进半导体和超级计算机产品及技术的能力。

例如，除了将许多中国实体列入实体和未经验证清单，BIS近几个月还对特定先进集成电路实施了出口限制，这些集成电路对某些人工智能应用以及先进半导体和燃气涡轮发动机技术至关重要。

另外，正如我们在早前的更新中讨论的，拜登总统上个月签署的一项行政命令，指示外国投资委员会（CFIUS）在评估涉及美国半导体和先进计算行业的外国投资时，考虑美国在这些领域的技术领导地位。

此外，传闻中还在考虑在人工智能和量子计算领域实施进一步的出口限制。

尽管目前没有其他国家加入美国发布类似限制，但预计美国将继续努力说服欧洲联盟、英国和加拿大等盟国，以及其他具备先进半导体制造能力的国家也这么做。

任何参与向中国出口或再出口与半导体或先进计算相关产品、设备、软件或技术的公司，都应仔细审查这些新限制，并考虑其现有合规程序是否需要修改。

以下分析更详细地分解了新规则及其创造的限制。

高性能半导体芯片的限制

新规则通过将ECCN 3A090添加到EAR，限制向中国出口或再出口或在中国转让满足以下标准的IC（集成电路）：
– 其所有输入和输出的聚合双向传输速率超过600 Gbyte/s；
– 以及满足3A090.a.1-4中的四个附加标准之一。

这些附加标准包括：
1. 执行机器指令的一个或多个数字处理单元，其每次操作的位数乘以处理性能测量为TOPS，在所有处理单元之上累加的达到或超过4800；

2. 排除那些与计算TOPS相关的机器指令执行的一个或多个数字“基本计算单元”，其每次操作的位数乘以处理性能测量为TOPS，在所有计算单元上累加的达到或超过4800；

3. 一个或多个模拟、多值或多级的“基本计算单元”，其处理性能测量为TOPS与8相乘，在所有计算单元之上累加的达到或超过4800；

4. 数字处理单元和“基本计算单元”组合的计算结果，按3A090.a.1、3A090.a.2和3A090.a.3求和达到或超过4800。

按照3A090.a的说明，潜在受影响的IC包括：图形处理单元（GPU）、张量处理单元（TPU）、神经处理器、内存处理器、视觉处理器、文本处理器、协处理器/加速器、自适应处理器、现场可编程逻辑设备（FPLD）和应用专用集成电路（ASIC）。

另外，针对与ECCN 3A090受控项目相关的软件和技术，分别添加了出口限制，分别为ECCNs 3D001和3E001。

所有新ECCN受中国的RS目的和其他国家的AT目的进行管制。

限制含有高性能半导体芯片的项目

新规则通过将ECCN 4A090添加到EAR，限制向中国出口、再出口或在中国转让含有根据上述ECCN 3A090 控制标准而受限的IC的计算机、“电子组件”和“部件”。

此外，针对与ECCN 4A090受控项目相关的“软件”和“技术”，分别添加了出口限制，分别为ECCNs 4D090和4E001。

所有的新ECCN受中国的RS目的和其他国家的AT目的进行管制。

限制半导体制造设备及相关项目

新规则通过将ECCN 3B090添加到EAR，限制向中国出口、再出口或在中国转让符合3B090a.1-a.10中的标准的半导体制造沉积设备。

以下是该标准的内容：
1. 用于通过电镀工艺沉积钴的设备；

2. 能够沉积具有最大尺寸小于或等于3纳米的空隙/缝的钴或钨填充金属的化学气相沉积设备；

3. 能够在一个处理腔体中制造金属接触的设备，具体过程为：
– 使用有机金属钨化合物沉积一层，同时保持晶圆基板温度在100°C至500°C之间；并且
– 进行等离子体过程，所用化学物质包括氢，包括H2和NH3；

4. 能够在真空环境中制造金属接触的设备，过程为：
– 在等离子体过程中使用表面处理，化学物质包括氢，包括H2、H2+N2和NH3，同时保持温度在100°C至500°C之间；
– 使用表面处理，由化学物质中包括氧（包括O2和O3）进行的等离子体处理，同时保持温度在40°C至500°C之间；并且
– 在温度保持在100°C至500°C之间的条件下沉积钨层。

5. 能够在真空环境中选择性沉积钴金属层的设备，其中第一步使用远程等离子发生器和离子过滤器，第二步是使用有机金属化合物沉积钴层；

6. 能够在铜或钴金属互连的顶部沉积厚度小于或等于10纳米的钴层的物理气相沉积设备；

7. 能够沉积“功函数金属”的原子层沉积设备，目的是通过向晶圆基板投递有机金属铝化合物和钛卤化物来调整晶体管电气参数；

8. 能够在真空环境中制造金属接触的设备，必须沉积以下所有材料：
– 使用有机金属化合物沉积的一层氮化钛（TiN）或碳化钨（WC），同时保持晶圆基板温度在20°C至500°C之间；
– 使用物理气相沉积技术沉积的一层钴，在过程压力下为1-100 mTorr，同时保持的晶圆基板温度低于500°C；
– 使用有机金属化合物沉积的一层钴，过程压力为1-100 Torr， wafer基板温度保持在20°C至500°C之间。

9. 能够在真空环境中制造铜金属互连的设备，沉积所有以下材料：
– 使用有机金属化合物沉积一层钴或钌，过程压力为1-100 Torr，且晶圆基板温度保持在20°C至500°C之间；
– 使用物理气相沉积技术沉积的铜层，过程压力为1-100 mTorr，且晶圆基板温度保持在500°C以下。

10. 能够使用有机金属化合物选择性沉积障碍或涂层的设备。

与这些制造项目相关的技术和软件也受到ECCNs 3D001和3E001的管制。

所有ECCN均受中国的RS目的管制，其他国家受AT管制。

最终用途出口限制

新规则通过在EAR中增加744.23节， impose了新的最终用途限制，这要求向中国出口所有或部分所有受EAR管制的物品时，必须获得许可，如果这些物品是用于某些半导体制造或超级计算机的最终用途。

半导体制造最终用途限制

新规则限制某些受EAR管制的物品，禁止向中国出口或再出口、或在中国转让：

– 当有理由信服该物品将用于在中国的一个半导体制造厂开发或生产IC时，任意受EAR管制的物品，如果该厂生产的IC满足以下标准的任何一项：
(iii)(A) 使用非平面晶体管架构的逻辑IC或“生产”技术节点为16/14纳米或更小；
(iii)(B) 128层或更高的NAND存储器集成电路；或
(iii)(C) 使用“生产”技术节点为18纳米半间距或更小的动态随机存取存储器（DRAM）集成电路；

– 当有理由信服受EAR管制的物品将用于在中国的半导体制造厂开发或生产IC，但没有证据证明该厂生产的IC是否满足以上标准时；

– 当有理由信服受EAR管制的物品将用于在中国的开发或生产中的任何部件、组件或设备，具体列于ECCN 3B001、3B002、3B090、3B611或3B991时。

超级计算机最终用途限制

新规则限制某些物品，禁止向中国出口或再出口、或在中国转让：

– 当有理由信服该物品将用于：
(i) 位于中国或发往中国的超级计算机的开发、生产、使用、操作、安装（包括现场安装）、维护、修复、翻新或改装；或
(ii) 合并到将在中国的超级计算机中使用的任何组件或设备的开发或生产；

– 任何受EAR管制的IC，且在ECCN 3A001、3A991、4A994、5A002、5A004或5A992中被指定；

– 任何受EAR管制的计算机、电子组件或元件，在ECCN 4A003、4A004、4A994、5A002、5A004或5A992中被指定。

超级计算机的定义包括“计算系统，其集体最大理论计算能力为100个以上的双精度（64位）petaflops或200个以上的单精度（32位）petaflops，且在41,600立方英尺或更小的空间内。”

美国人限制

根据15 CFR 744.6(b)，美国人（即美国组织实体、美国公民、美国永久居民、以及身处美国的人员）被禁止从事以下与不受EAR管制的项目相关的交易：

– 运输、传输、转移或促进向中国运输的任何不受EAR管制的项目，或对这些项目提供服务，知晓该项目将用于在中国开发或生产IC；

– 运输、传输、转移或促进向中国运输的任何不受EAR管制的项目，且符合EAR第三类产品组的B、C、D或E，知晓该项目将用于在任意半导体制造设施开发或生产IC，且不确定该设施是否生产上述IC；

– 运输、传输、转移或促进向中国运输的任何受EAR管制的项目，且符合ECCN 3B090、3D001（对3B090项目适用的）或3E001（对3B090项目适用的）的条件。

扩展外国直接产品规则

新规则扩展了15 C.F.R. 734.9中的外国直接产品规则，对下述项目的出口、再出口或在中国的转让施加限制：

– 外国生产的项目，符合以下条件之一：(1) 直接产品为受EAR管制和符合某些ECCN的US来源软件或技术，或(2) 由直接产品的厂房或主要组件生产，该厂房本身是美国来源的技术或软件直接产品；

– 实体清单FDP规则：任何符合上述标准的外国制造项目，且意在交付给被命名在实体清单上的中国实体；

– 超级计算机FDP规则：任何符合上述标准的外国制造项目，且知晓该项目将在中国的超级计算机中使用，或合并用于将用于中国的超级计算机的任何部件、组件或设备的开发。

– 任何符合上述标准的外国制造项目，知晓该项目将用于先进计算FDP规则：
– 外国制造的项目，符合上述标准，并符合ECCN 3A090、3E001（涉及3A090项目时），4A090或4E001（涉及4A090项目时）的条件；
– 或者是符合ECCN 3A090或4A090的IC、计算机、电子组件或组件；在知晓该项目将被转交至中国或会合并到任何非EAR99的部件、组件、计算机或设备或手段及技术，由总部位于中国的实体开发的以生产掩模或IC晶圆或芯片技术；。

需要直接产品的相关ECCN包括：3D001、3D991、3E001、3E002、3E003、3E991、4D001、4D993、4D994、4E001、4E992、4E993、5D001、5D002、5D991、5E001、5E002或5E991。

临时通用许可证

新规则创建了通过EAR第736部分的补充1的临时通用许可证（TGL），授权于2023年4月7日之前，从美国友好国家总部的公司继续在中国进行有限的集成、组装、测试和分配活动，但前提是最终产品将用于中国以外的各方。

更具体地说，TGL授权不属于D:1或D:5或E国家集团的公司的出口和再出口，以及在中国转让高性能芯片和先进计算项目（分类在ECCN 3A090或4A090中的项目）和相关软件及技术（分类在ECCN 3D001、3E001、4D090或4E001中的项目）。

限制许可例外

新规则显著限制了EAR第740部分中向中国的出口或再出口、或在中国转让的许可例外的可用性。具体来说，向中国出口或再出口、或在中国转让的项目，分类在以下受RS管制的ECCN中，只可以获得许可证例外，即RPL、GOV和TSU。

3A090；

4A090；

3D001或3E001（涉及3A090项目时）；

4D090；和

4E001（涉及4A090项目时）。

对大众市场加密项目的限制